MOCVD应用
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MOCVD应用 MOCVD Application
MOCVD是以III组、II族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压（10-100Torr）下通H2的冷壁石英（不锈钢）反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用射频感应加热石墨基座（衬底基片在石墨基座上方），H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
MOCVD优点
-适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体。
-非常适合于生长各种异质结构材料。
-可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡。
-生长易于控制。
-可以生长纯度很高的材料。
-外延层大面积均匀性良好。
-可以进行大规模生产。
产品种类：
钨发热体，铼发热体，钨钼组件
