タングステンモリブデンターゲット
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スパッタリング技術は，イオン源によって生成されたイオンを利用して，真空中で加速的に凝集し，高速エネルギーのイオンビーム流を形成し，固体表面を衝撃し，イオンと固体表面原子を運動エネルギー交換し，固体表面のもとの子を固体から離れて基板表面に堆積させる薄膜材料を作製する主な技術の一つである。衝撃された固体はスパッタ法で薄膜を堆積した原材料で，スパッタターゲットと呼ばれる。様々なタイプのスパッタ薄膜材料は半導体集積回路、記録媒体、平面ディスプレイ、ワーク表面コーティングなどにおいて広く応用されている。
スパッタコーティングは真空コーティングの3つのプロセスの一つとして、光起電力、TFT-LCDなどの現代工業に広く応用されています。スパッタターゲットは純度に対して高い要求があり、一般的なタングステンモリブデンスパッタリングターゲットは純度が99.95%以上に達し、良好な密度と耐食性を要求している。
| アイテム | Power密度（W/cm2） | 基板温度（℃） | 膜ができるRate（A·m/min） | 比抵抗@2000A（μΩcm） |
| 格美钼靶 | 5.0 | 100.0 | 342.8 | 11.7 |
格美公司はTFT-LCD及び太陽エネルギーのすべてのタングステン、モリブデン合金のスパッタリングターゲットを提供できます
製品材料：タングステン、モリブデン、タングステンモリブデン合金及びモリブデンニオブ合金
製品の種類：平面的ターゲットと管的ターゲット
| 加工範囲 | 厚さ/直径（mm） | 幅（mm） | 長さ（mm） | 粗さ（mm） |
| G4.5～11.5代靶材 | 1.5～40 | 1.0～2500.00 | 1.0～4000.00 | Ra0.2～6.4 |
| 钼管靶 | 120～170 | / | 3500 | Ra0.2～6.4 |
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